Implementación de métodos químicos en la fabricación de diodos tipo p basados en películas delgadas de ZnO.

Peliculas delgadas del oxido semiconductor ZnO tanto en su estado puro como dopado con impurezas de Al o N seran producidas utilizando metodos quimicos como el metodo de sol-gel y/o el de precursor polimerico (Pechini). Las peliculas de ZnO seran caracterizadas depositadas sobre sustratos amorfos (vidrio) y monocristalinos (SrTiO3) por medio de recubrimiento por inmersion y/o rotacion. Las peliculas producidas seran caracterizadas de acuerdo a sus propiedades estructurales, morfologicas y electricas utilizando difraccion de Rayos X, Microscopia Electronica de Barrido (SEM) y metodo de cuatro puntas. Dispositivos rectificador tipo p y tipo n seran fabricados con base en estas peliculas y sus propiedades rectificadoras debidamente caracterizadas.